霍爾器件系磁電轉(zhuǎn)換器件，是半導(dǎo)體磁傳感器中*成熟、產(chǎn)量*大的產(chǎn)品，而砷化鎵霍爾器件更是其中的佼佼者。其原理是針對(duì)砷化鎵《GaAs》材料的特點(diǎn)，應(yīng)用高能量離子注入方法和新型工藝技術(shù)制造的霍爾器件。不但提高了器件的抗靜電擊穿能力、線性度和成品率，而且大幅降低了生產(chǎn)成本，使砷化鎵霍爾器件在性?xún)r(jià)比及功能方面均優(yōu)于傳統(tǒng)的銻化銦和硅霍爾器件，是霍爾器件新一代替代產(chǎn)品。

從性能上看，GaAs霍爾器件有著InSb霍爾器件無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)，具有溫度特性?xún)?yōu)良、輸出電壓性好、輸入阻抗高、底失衡率等到優(yōu)點(diǎn)，特別更在溫度系數(shù)和工作范圍兩項(xiàng)指標(biāo)上，在優(yōu)異應(yīng)用時(shí)具有優(yōu)良優(yōu)勢(shì)，達(dá)到******，有些關(guān)鍵指標(biāo)<如器靈敏度>處于****地位。
高性能GaAs霍爾器件規(guī)模化生產(chǎn)的關(guān)鍵設(shè)備是高能量的大型離子注入機(jī)，通過(guò)對(duì)GaAs霍爾器件20多年的研究，在GaAs材料制備，器件設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝，提高穩(wěn)定性和可靠性等方面都擁有成熟的技術(shù)。特別是在國(guó)內(nèi)**采用高能量離子注入方法，成功生產(chǎn)出高性能GaAs霍爾器件，技術(shù)指標(biāo)優(yōu)良。

長(zhǎng)期穩(wěn)定性是衡量元器件的重要參數(shù)之一，其好壞決定是否有實(shí)用價(jià)值。本產(chǎn)品通過(guò)了180℃～190℃度高溫、13500小時(shí)的加速老化實(shí)驗(yàn)，器件完好無(wú)損，用化學(xué)動(dòng)力學(xué)中阿爾赫尼斯議程可計(jì)算出，其失效率高達(dá)10-7～10-8以上。就國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有文獻(xiàn)報(bào)道來(lái)看：公司生產(chǎn)的GaAs霍爾器件是唯壹進(jìn)行過(guò)長(zhǎng)時(shí)間可行性實(shí)驗(yàn)的產(chǎn)品。

通過(guò)長(zhǎng)時(shí)間可行性實(shí)驗(yàn)得出的結(jié)論是：與半導(dǎo)體P-N結(jié)器件不同，GaAs霍爾器件是體效應(yīng)器件，長(zhǎng)時(shí)間高溫老化或一定劑量的核輻射對(duì)器件靈敏度等性能的影響很小，具有很好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。