美國(guó)電氣電子工程專業(yè)申請(qǐng)要求高不高

麻省理工學(xué)院Massachusetts Institute of Technology

硬性條件: TOEFL 100+ (internet-based) 或者 IELTS 7+，GPA 無明確要求但是建議 3.8 以上 , GRE 無硬性要求。

軟實(shí)力: 學(xué)生不僅是要相近的本科背景，并且要擁有很強(qiáng)的數(shù)學(xué)，物理，計(jì)算機(jī)科學(xué)或者工程背景。

申請(qǐng) deadline 是 Dec. 15th, 2017 (fall 2018)。

斯坦福大學(xué) Stanford University

申請(qǐng)條件：IBT 100(斯坦福對(duì)學(xué)生的口語(yǔ)和聽力要求很高)， GRE 90% percentile or higher on the quantitative section, GPA 無明確要求但是建議 3.8 以上，TOEFL 成績(jī)，Ms 89+, Ph.D. 100+

加州大學(xué)伯克利分校 UC Berkeley

申請(qǐng)條件：GRE 350+ ( >90% in quantitative, >70% in verbal, >3.5 in analytical);

TOEFL 100+, iBT 90+ 或者 IELTS 7+; GPA 3.7+

加州理工學(xué)院|California Institute of Technology

申請(qǐng)條件：IBT 無明確要求，建議 100+， GRE 無明確要求建議 325+, GPA 3.5/4, top 5%-10%. CIT 項(xiàng)目小而學(xué)術(shù)，因每年招人極少申請(qǐng)難度極高，建議申請(qǐng)者有豐富的科研經(jīng)驗(yàn)以及比較深刻的學(xué)術(shù)思考。

伊利諾伊大學(xué)香檳分校| University of Illinois--Urbana-Champaign

申請(qǐng)條件：IBT 68+ 建議 100+，雅思 70， GRE 無明確要求，建議 325+, GPA 無明確要求但是建議 3.8 以上。

第1名、麻省理工學(xué)院

第2名、斯坦福大學(xué)

第3名、加州大學(xué)伯克利分校

第4名、加州理工學(xué)院

第5名、伊利諾伊大學(xué)香檳分校

第6名、佐治亞理工學(xué)院

第7名、密歇根大學(xué)安娜堡分校

第8名、德克薩斯大學(xué)奧斯汀分校

第9名、卡耐基梅隆大學(xué)

第10名、普渡大學(xué)西拉法葉分校

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